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主要用于生长锗晶体。设备的特点是，上轴采用不锈钢或钼金属绳提升单晶。主炉室和副室之间通过插板阀实现动态隔离。
|
序号 |
参数 |
值 |
|
1 |
真空度 |
0.1Pa |
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2 |
可充气体 |
氮气或氩气 |
|
3 |
温度 |
1600℃（±0.1℃） |
|
4 |
籽晶拉速范围 |
0.1～10mm/min |
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5 |
晶体升降快速范围 |
200 mm/min |
|
6 |
籽晶转速范围 |
0～10r/min |
|
7 |
坩埚升速范围 |
0.01～10mm/min |
|
8 |
坩埚快速范围 |
100mm/min |
|
9 |
坩埚转速范围 |
0～10r/min |
|
10 |
坩埚杆在炉内行程 |
90mm |
